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FERD30S50DJF-TR

FERD30S50DJF-TR

Nur als Referenz

Teilenummer FERD30S50DJF-TR
PNEDA Teilenummer FERD30S50DJF-TR
Beschreibung DIODE RECT 50V 30A POWERFLAT
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.988
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FERD30S50DJF-TR Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFERD30S50DJF-TR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FERD30S50DJF-TR, FERD30S50DJF-TR Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 132,7 KB)
PDFFERD30S50DJF-TR Datenblatt Cover
FERD30S50DJF-TR Datenblatt Seite 2 FERD30S50DJF-TR Datenblatt Seite 3 FERD30S50DJF-TR Datenblatt Seite 4 FERD30S50DJF-TR Datenblatt Seite 5 FERD30S50DJF-TR Datenblatt Seite 6 FERD30S50DJF-TR Datenblatt Seite 7 FERD30S50DJF-TR Datenblatt Seite 8

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FERD30S50DJF-TR Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
DiodentypFERD (Field Effect Rectifier Diode)
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If470mV @ 15A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr800µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (5x6)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerDI™ 5

Lieferantengerätepaket

PowerDI™ 5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

MBRS540T3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

ESH1B R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

15ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

16pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

1N4936G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SS15L RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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