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FERD30H100STS

FERD30H100STS

Nur als Referenz

Teilenummer FERD30H100STS
PNEDA Teilenummer FERD30H100STS
Beschreibung DIODE RECT 100V 30A TO220AB
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 28.236
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FERD30H100STS Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFERD30H100STS
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FERD30H100STS, FERD30H100STS Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 477,35 KB)
PDFFERD30H100SH Datenblatt Cover
FERD30H100SH Datenblatt Seite 2 FERD30H100SH Datenblatt Seite 3 FERD30H100SH Datenblatt Seite 4 FERD30H100SH Datenblatt Seite 5 FERD30H100SH Datenblatt Seite 6 FERD30H100SH Datenblatt Seite 7 FERD30H100SH Datenblatt Seite 8 FERD30H100SH Datenblatt Seite 9 FERD30H100SH Datenblatt Seite 10 FERD30H100SH Datenblatt Seite 11

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FERD30H100STS Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
DiodentypFERD (Field Effect Rectifier Diode)
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If745mV @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr130µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

900V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 900V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-128

Lieferantengerätepaket

M-FLAT (2.4x3.8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

EGP20C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-15

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

R9G22812CSOO

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2800V

Current - Average Rectified (Io)

1200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.3V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

75mA @ 2800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AB, B-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

A330PB

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

1200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 200°C

10ETF06

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

145ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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