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FERD20S100STS

FERD20S100STS

Nur als Referenz

Teilenummer FERD20S100STS
PNEDA Teilenummer FERD20S100STS
Beschreibung DIODE RECT 100V 20A TO220AB
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 20.376
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FERD20S100STS Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFERD20S100STS
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FERD20S100STS, FERD20S100STS Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 487,82 KB)
PDFFERD20S100SH Datenblatt Cover
FERD20S100SH Datenblatt Seite 2 FERD20S100SH Datenblatt Seite 3 FERD20S100SH Datenblatt Seite 4 FERD20S100SH Datenblatt Seite 5 FERD20S100SH Datenblatt Seite 6 FERD20S100SH Datenblatt Seite 7 FERD20S100SH Datenblatt Seite 8 FERD20S100SH Datenblatt Seite 9 FERD20S100SH Datenblatt Seite 10 FERD20S100SH Datenblatt Seite 11

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FERD20S100STS Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
DiodentypFERD (Field Effect Rectifier Diode)
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If780mV @ 10A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1.75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, E

Lieferantengerätepaket

D-5B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

A197N

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

250A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AB, DO-9, Stud

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

RMPG06JHE3_A/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

6.6pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

MPG06, Axial

Lieferantengerätepaket

MPG06

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SX070H150S6KW-01

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

JAN1N6642US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/578

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

300mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, D

Lieferantengerätepaket

D-5D

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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