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FEPF6AT-E3/45

FEPF6AT-E3/45

Nur als Referenz

Teilenummer FEPF6AT-E3/45
PNEDA Teilenummer FEPF6AT-E3-45
Beschreibung DIODE ARRAY GP 50V 6A ITO220AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.052
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 30 - Feb 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FEPF6AT-E3/45 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFEPF6AT-E3/45
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
FEPF6AT-E3/45, FEPF6AT-E3/45 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 124,18 KB)
PDFFEP6DT-5410HE3/45 Datenblatt Cover
FEP6DT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 2 FEP6DT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 3 FEP6DT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 4 FEP6DT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 5

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FEPF6AT-E3/45 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If975mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 50V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
LieferantengerätepaketITO-220AB

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

SOT-93

MBR30H45PT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

730mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

CPT30145

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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