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FEPB16BTHE3/81

FEPB16BTHE3/81

Nur als Referenz

Teilenummer FEPB16BTHE3/81
PNEDA Teilenummer FEPB16BTHE3-81
Beschreibung DIODE ARRAY GP 100V 8A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.092
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FEPB16BTHE3/81 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFEPB16BTHE3/81
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
FEPB16BTHE3/81, FEPB16BTHE3/81 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 158,31 KB)
PDFFEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Cover
FEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 2 FEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 3 FEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 4 FEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 5 FEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 6

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FEPB16BTHE3/81 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 100V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

12.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

BAS56 BK

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

6ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

VS-MBRD660CTTR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

VS-16CTU04-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

43ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

VSKDL450-16S20

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

460A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 1800A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

Lieferantengerätepaket

MAGN-A-PAK®

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