FEP16BTHE3/45
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| Teilenummer | FEP16BTHE3/45 |
| PNEDA Teilenummer | FEP16BTHE3-45 |
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FEP16BTHE3/45 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FEP16BTHE3/45 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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FEP16BTHE3/45 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 16A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 45V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket ITO-220AB |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.24V @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 93ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 400V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.35V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 85ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |
Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 975mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 250A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 880mV @ 250A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 150V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
