FEP16AT
Nur als Referenz
| Teilenummer | FEP16AT | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FEP16AT | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 50V 16A TO220AB | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 617 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 6 - Apr 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FEP16AT Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FEP16AT |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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FEP16AT Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 16A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 70A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 70A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 800V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Screw Mount Paket / Fall TO-249AA Isolated Base Lieferantengerätepaket TO-249 |
Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodenkonfiguration - Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 18A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 1000V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 50A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 110ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodenkonfiguration 3 Independent Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1700V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.2V @ 3600A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3050A @ 900V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket A-IHM190-1 |
Hersteller Comchip Technology Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 70V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket SOT-523 |
