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FDZ4670

FDZ4670

Nur als Referenz

Teilenummer FDZ4670
PNEDA Teilenummer FDZ4670
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.106
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FDZ4670 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDZ4670
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDZ4670, FDZ4670 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 275,3 KB)
PDFFDZ4670 Datenblatt Cover
FDZ4670 Datenblatt Seite 2 FDZ4670 Datenblatt Seite 3 FDZ4670 Datenblatt Seite 4 FDZ4670 Datenblatt Seite 5 FDZ4670 Datenblatt Seite 6

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FDZ4670 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3540pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket20-FLFBGA (3.55x4)
Paket / Fall20-FLFBGA (30 pos)

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Hersteller

IXYS

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 340µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 100V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220ABFP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

BUK7237-55A,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

872pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

77W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SSM3K15AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13.5pF @ 3V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

USM

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

SQM40P10-40L_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

134nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5295pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PSMN8R2-80YS,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

82A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3640pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Kürzlich verkauft

SMBJ7.0CA-E3/52

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 7V 12V DO214AA

TR3C107K010C0100

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Vishay Sprague

CAP TANT 100UF 10% 10V 2312

MAX3208EAUB+T

MAX3208EAUB+T

Maxim Integrated

TVS DIODE 10UMAX

742792410

742792410

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 60 OHM 1806 1LN

MMBT4403LT1G

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ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23

MC74HCT04AD

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ON Semiconductor

IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC

LTM4605IV#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A

ILD207T

ILD207T

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLTR 4KV 2CH TRANS 8-SOIC

FDS4935BZ

FDS4935BZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

SRP4020-2R2M

SRP4020-2R2M

Bourns

FIXED IND 2.2UH 3.9A 40 MOHM SMD

2N3390

2N3390

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

MX25L6433FM2I-08G

MX25L6433FM2I-08G

Macronix

IC FLASH SERIAL NOR 64M 8SOP