FDW9926A
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Teilenummer | FDW9926A |
PNEDA Teilenummer | FDW9926A |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8TSSOP |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.286 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDW9926A Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Artikelnummer | FDW9926A |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
Payment Method
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FDW9926A Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
Leistung - max | 600mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |