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FDU3706

FDU3706

Nur als Referenz

Teilenummer FDU3706
PNEDA Teilenummer FDU3706
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
Hersteller ON Semiconductor
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FDU3706 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDU3706
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDU3706, FDU3706 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 292,79 KB)
PDFFDU3706 Datenblatt Cover
FDU3706 Datenblatt Seite 2 FDU3706 Datenblatt Seite 3 FDU3706 Datenblatt Seite 4 FDU3706 Datenblatt Seite 5 FDU3706 Datenblatt Seite 6

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FDU3706 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14.7A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1882pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.8W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTB22N06T4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB070AN06A0

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

175W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RJL6012DPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

Paket / Fall

SC-83

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

780W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268HV

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

STP140N6F7

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

158W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

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IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8HSOP

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IC PFC CTLR 1000W 180VAC 16ESIP

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NL453232T-3R3J-PF

TDK

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

F55J25R

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ON Semiconductor

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MT29F4G08ABADAH4-IT:D

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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SSR RELAY SPST-NC 200MA 0-200V

S25FL064LABMFI010

S25FL064LABMFI010

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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SOIC

MAX3162EAI

MAX3162EAI

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IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28SSOP