FDT86113LZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | FDT86113LZ |
| PNEDA Teilenummer | FDT86113LZ |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 129.702 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDT86113LZ Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDT86113LZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDT86113LZ Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223-4 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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Hersteller IXYS Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 52W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8110pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 214W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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