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FDS8813NZ

FDS8813NZ

Nur als Referenz

Teilenummer FDS8813NZ
PNEDA Teilenummer FDS8813NZ
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 694.800
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FDS8813NZ Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDS8813NZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDS8813NZ, FDS8813NZ Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 408,64 KB)
PDFFDS8813NZ Datenblatt Cover
FDS8813NZ Datenblatt Seite 2 FDS8813NZ Datenblatt Seite 3 FDS8813NZ Datenblatt Seite 4 FDS8813NZ Datenblatt Seite 5 FDS8813NZ Datenblatt Seite 6 FDS8813NZ Datenblatt Seite 7 FDS8813NZ Datenblatt Seite 8 FDS8813NZ Datenblatt Seite 9

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FDS8813NZ Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.18.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4145pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SOIC
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IXTQ48N20T

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

Trench™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3090pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

IRF3707Z

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

59A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1210pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

57W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

NVMFS6B03NLWFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5320pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.9W (Ta), 198W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Torex Semiconductor Ltd

Serie

-

FET-Typ

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Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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