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FDPC3D5N025X9D

FDPC3D5N025X9D

Nur als Referenz

Teilenummer FDPC3D5N025X9D
PNEDA Teilenummer FDPC3D5N025X9D
Beschreibung MOSFET 2 N-CH 25V 74A 12-PQFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.974
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FDPC3D5N025X9D Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDPC3D5N025X9D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDPC3D5N025X9D, FDPC3D5N025X9D Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 603,16 KB)
PDFFDPC3D5N025X9D Datenblatt Cover
FDPC3D5N025X9D Datenblatt Seite 2 FDPC3D5N025X9D Datenblatt Seite 3 FDPC3D5N025X9D Datenblatt Seite 4 FDPC3D5N025X9D Datenblatt Seite 5 FDPC3D5N025X9D Datenblatt Seite 6 FDPC3D5N025X9D Datenblatt Seite 7 FDPC3D5N025X9D Datenblatt Seite 8 FDPC3D5N025X9D Datenblatt Seite 9 FDPC3D5N025X9D Datenblatt Seite 10 FDPC3D5N025X9D Datenblatt Seite 11

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FDPC3D5N025X9D Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.74A
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.01mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3340pF @ 13V
Leistung - max26W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall12-PowerWQFN
Lieferantengerätepaket12-PQFN (3.3x3.3)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A, 7.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA, 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 5V, 8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 10V, 550pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMP2900UV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SI7872DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

DMC6040SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A, 3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 15V

Leistung - max

1.24W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SLA5068-LF830

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Leistung - max

5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

15-SIP Exposed Tab, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

15-ZIP

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