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FDP55N06

FDP55N06

Nur als Referenz

Teilenummer FDP55N06
PNEDA Teilenummer FDP55N06
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 28.044
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FDP55N06 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDP55N06
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDP55N06, FDP55N06 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.523,84 KB)
PDFFDPF55N06 Datenblatt Cover
FDPF55N06 Datenblatt Seite 2 FDPF55N06 Datenblatt Seite 3 FDPF55N06 Datenblatt Seite 4 FDPF55N06 Datenblatt Seite 5 FDPF55N06 Datenblatt Seite 6 FDPF55N06 Datenblatt Seite 7 FDPF55N06 Datenblatt Seite 8 FDPF55N06 Datenblatt Seite 9 FDPF55N06 Datenblatt Seite 10 FDPF55N06 Datenblatt Seite 11

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FDP55N06 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieUniFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1510pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)114W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDB8453LZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.1A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 17.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3545pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 66W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPI045N10N3GXK

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™ 3

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

137A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8410pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

214W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

ZXMN3A14FQTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

448pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FCPF250N65S3L1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F-3

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FQPF17P10

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 5.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

41W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

0501010.WR

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