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FDP025N06

FDP025N06

Nur als Referenz

Teilenummer FDP025N06
PNEDA Teilenummer FDP025N06
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
Hersteller ON Semiconductor
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FDP025N06 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDP025N06
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDP025N06, FDP025N06 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 908,15 KB)
PDFFDP025N06 Datenblatt Cover
FDP025N06 Datenblatt Seite 2 FDP025N06 Datenblatt Seite 3 FDP025N06 Datenblatt Seite 4 FDP025N06 Datenblatt Seite 5 FDP025N06 Datenblatt Seite 6 FDP025N06 Datenblatt Seite 7 FDP025N06 Datenblatt Seite 8 FDP025N06 Datenblatt Seite 9 FDP025N06 Datenblatt Seite 10

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FDP025N06 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs226nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds14885pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)395W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3

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R6004JND3TL1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.43Ohm @ 2A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

7V @ 450µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 15V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDMC7570S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4410pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 59W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Power33

Paket / Fall

8-PowerTDFN

HUF75645P3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

238nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3790pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

310W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

AON2410

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

813pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-DFN-EP (2x2)

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.1nC @ 10V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Kürzlich verkauft

PIC12F1822-I/SN

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Microchip Technology

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CAP CER 0.4PF 25V C0G/NP0 0201