FDMS7670
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| Teilenummer | FDMS7670 |
| PNEDA Teilenummer | FDMS7670 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 21A POWER56 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 101.268 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDMS7670 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMS7670 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDMS7670 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 21A (Ta), 42A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4105pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 62W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.4nC @ 8V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 887pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.15W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSOT-26 Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-WPAK Paket / Fall 8-PowerWDFN |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 98A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13100pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Ta), 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 255W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
