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FDMC7200

FDMC7200

Nur als Referenz

Teilenummer FDMC7200
PNEDA Teilenummer FDMC7200
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A POWER33
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.146
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FDMC7200 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMC7200
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMC7200, FDMC7200 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 551,36 KB)
PDFFDMC7200 Datenblatt Cover
FDMC7200 Datenblatt Seite 2 FDMC7200 Datenblatt Seite 3 FDMC7200 Datenblatt Seite 4 FDMC7200 Datenblatt Seite 5 FDMC7200 Datenblatt Seite 6 FDMC7200 Datenblatt Seite 7 FDMC7200 Datenblatt Seite 8 FDMC7200 Datenblatt Seite 9 FDMC7200 Datenblatt Seite 10 FDMC7200 Datenblatt Seite 11

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FDMC7200 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 15V
Leistung - max700mW, 900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-Power33 (3x3)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Leistung - max

960mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

SI1024X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

485mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

AON6908ALS_101

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A (Ta), 46A (Tc), 17A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 11.5A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA, 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V, 38nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 15V, 5260pF @ 15V

Leistung - max

1.9W (Ta), 31W (Tc), 2.1W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5x6)

HUFA76404DK8T

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

62V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI7998DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V

Leistung - max

22W, 40W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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