Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDI3652

FDI3652

Nur als Referenz

Teilenummer FDI3652
PNEDA Teilenummer FDI3652
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.892
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 2 - Apr 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDI3652 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDI3652
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDI3652, FDI3652 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 263,34 KB)
PDFFDI3652 Datenblatt Cover
FDI3652 Datenblatt Seite 2 FDI3652 Datenblatt Seite 3 FDI3652 Datenblatt Seite 4 FDI3652 Datenblatt Seite 5 FDI3652 Datenblatt Seite 6 FDI3652 Datenblatt Seite 7 FDI3652 Datenblatt Seite 8 FDI3652 Datenblatt Seite 9 FDI3652 Datenblatt Seite 10 FDI3652 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDI3652 Datasheet
  • where to find FDI3652
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDI3652
  • FDI3652 PDF Datasheet
  • FDI3652 Stock

  • FDI3652 Pinout
  • Datasheet FDI3652
  • FDI3652 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDI3652 Price
  • FDI3652 Distributor

FDI3652 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9A (Ta), 61A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 61A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2880pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)150W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

PSMN5R6-60YLX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5026pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

SCH1332-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

375pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-563/SCH6

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

AOT282L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18.5A (Ta), 105A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

178nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7765pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 272.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

2SK3064G0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50Ohm @ 10mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SMini3-F2

Paket / Fall

SC-85

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

800mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21Ohm @ 400mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.6nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

LQH43CN100K03L

LQH43CN100K03L

Murata

FIXED IND 10UH 650MA 240 MOHM

MAX1680ESA

MAX1680ESA

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

LTST-C190KGKT

LTST-C190KGKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

2EDN7424FXTMA1

2EDN7424FXTMA1

Infineon Technologies

IC GATE DRIVER DSO8

M74VHC1G125DFT2G

M74VHC1G125DFT2G

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SC88A

ACPL-064L-500E

ACPL-064L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH PUSH PULL 8SO

AD9240AS

AD9240AS

Analog Devices

IC ADC 14BIT PIPELINED 44MQFP

WSL2512R0250FEA

WSL2512R0250FEA

Vishay Dale

RES 0.025 OHM 1% 1W 2512

MPXV7002DP

MPXV7002DP

NXP

PRESSURE SENSOR DUAL PORT 8-SOP

EN6347QI

EN6347QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-6.24V

BAT54-7-F

BAT54-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3

ST72F321BAR9T6

ST72F321BAR9T6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64LQFP