FDD4141-F085
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| Teilenummer | FDD4141-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FDD4141-F085 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 105.918 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDD4141-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDD4141-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDD4141-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10.8A (Ta), 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 12.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2775pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.4W (Ta), 69W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800mW (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-39 Paket / Fall TO-205AF Metal Can |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12700pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1040W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-264AA (IXFK) Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3780pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 320W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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