Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDBL86363-F085

FDBL86363-F085

Nur als Referenz

Teilenummer FDBL86363-F085
PNEDA Teilenummer FDBL86363-F085
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 240A PSOF8
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.790
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDBL86363-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDBL86363-F085
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDBL86363-F085, FDBL86363-F085 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 485,56 KB)
PDFFDBL86363-F085 Datenblatt Cover
FDBL86363-F085 Datenblatt Seite 2 FDBL86363-F085 Datenblatt Seite 3 FDBL86363-F085 Datenblatt Seite 4 FDBL86363-F085 Datenblatt Seite 5 FDBL86363-F085 Datenblatt Seite 6 FDBL86363-F085 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDBL86363-F085 Datasheet
  • where to find FDBL86363-F085
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDBL86363-F085
  • FDBL86363-F085 PDF Datasheet
  • FDBL86363-F085 Stock

  • FDBL86363-F085 Pinout
  • Datasheet FDBL86363-F085
  • FDBL86363-F085 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDBL86363-F085 Price
  • FDBL86363-F085 Distributor

FDBL86363-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.240A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs169nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds10000pF @ 40V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)357W (Tj)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-HPSOF
Paket / Fall8-PowerSFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

VMO80-05P1

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ECO-PAC2

Paket / Fall

ECO-PAC2

NTD23N03RT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A (Ta), 17.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.76nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.14W (Ta), 22.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVMFS5C426NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 128W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

APTM120U10SAG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

116A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1100nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3290W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SP6

Paket / Fall

SP6

VN2106N3-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Kürzlich verkauft

DLP11SN900HL2L

DLP11SN900HL2L

Murata

CMC 150MA 2LN 90 OHM SMD

AD7942BRMZ

AD7942BRMZ

Analog Devices

IC ADC 14BIT SAR 10MSOP

TDA04H0SB1

TDA04H0SB1

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

SD4933MR

SD4933MR

STMicroelectronics

TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177

SMBJ5.0A-13-F

SMBJ5.0A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

WSL1206R0500FEA

WSL1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

BZX84C3V3LT1G

BZX84C3V3LT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3

PIC12F1822-I/SN

PIC12F1822-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 8SOIC

A3P250-VQG100I

A3P250-VQG100I

Microsemi

IC FPGA 68 I/O 100VQFP

LTC3703EGN#TRPBF

LTC3703EGN#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 16SSOP

EN6360QI

EN6360QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-5.8V 46W

ADCMP356YKSZ-REEL7

ADCMP356YKSZ-REEL7

Analog Devices

IC COMP/REF PP ACTIVE HI SC70-4