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FDBL0065N40

FDBL0065N40

Nur als Referenz

Teilenummer FDBL0065N40
PNEDA Teilenummer FDBL0065N40
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 300A H-PSOF8
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 22.692
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FDBL0065N40 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDBL0065N40
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDBL0065N40, FDBL0065N40 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 582,84 KB)
PDFFDBL0065N40 Datenblatt Cover
FDBL0065N40 Datenblatt Seite 2 FDBL0065N40 Datenblatt Seite 3 FDBL0065N40 Datenblatt Seite 4 FDBL0065N40 Datenblatt Seite 5 FDBL0065N40 Datenblatt Seite 6 FDBL0065N40 Datenblatt Seite 7 FDBL0065N40 Datenblatt Seite 8

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FDBL0065N40 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.65mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs296nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds15900pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)429W (Tj)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-HPSOF
Paket / Fall8-PowerSFN

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NVTFS5C658NLWFTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

109A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1935pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

114W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

IRF7468

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2460pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDMA8884

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta), 8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-MicroFET (2x2)

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

BSP88L6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

240V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

350mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 108µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.7W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

IXTN21N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

MegaMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

520W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

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