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FDB8874

FDB8874

Nur als Referenz

Teilenummer FDB8874
PNEDA Teilenummer FDB8874
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDB8874 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDB8874
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDB8874, FDB8874 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 473,06 KB)
PDFFDB8874 Datenblatt Cover
FDB8874 Datenblatt Seite 2 FDB8874 Datenblatt Seite 3 FDB8874 Datenblatt Seite 4 FDB8874 Datenblatt Seite 5 FDB8874 Datenblatt Seite 6 FDB8874 Datenblatt Seite 7 FDB8874 Datenblatt Seite 8 FDB8874 Datenblatt Seite 9 FDB8874 Datenblatt Seite 10 FDB8874 Datenblatt Seite 11

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FDB8874 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.21A (Ta), 121A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3130pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)110W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263AB
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BSC0901NSIATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 15V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-6

Paket / Fall

8-PowerTDFN

SK8403190L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta), 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1.01mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1092pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 19W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

HSSO8-F1-B

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

AOT430

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

268W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

IRL510L

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

DMP3026SFDF-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1204pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type F)

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Kürzlich verkauft

PIC16F77-I/P

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IRLMS6702TRPBF

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Diodes Incorporated

DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

NIS5135MN1TXG

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IC ELECTRONIC FUSE 10DFN

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NL453232T-102J-PF

NL453232T-102J-PF

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FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD