Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDB6690S

FDB6690S

Nur als Referenz

Teilenummer FDB6690S
PNEDA Teilenummer FDB6690S
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.726
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 18 - Apr 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDB6690S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDB6690S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDB6690S, FDB6690S Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 88,46 KB)
PDFFDB6690S Datenblatt Cover
FDB6690S Datenblatt Seite 2 FDB6690S Datenblatt Seite 3 FDB6690S Datenblatt Seite 4 FDB6690S Datenblatt Seite 5 FDB6690S Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDB6690S Datasheet
  • where to find FDB6690S
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDB6690S
  • FDB6690S PDF Datasheet
  • FDB6690S Stock

  • FDB6690S Pinout
  • Datasheet FDB6690S
  • FDB6690S Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDB6690S Price
  • FDB6690S Distributor

FDB6690S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®, SyncFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.42A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1238pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)48W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263AB
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDD6690A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta), 46A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.3W (Ta), 56W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFZ14PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

43W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

RRS100N03TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

BTS113ANKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TEMPFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

P-TO220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

LQH43CN100K03L

LQH43CN100K03L

Murata

FIXED IND 10UH 650MA 240 MOHM

SMCJ36A

SMCJ36A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 36V 58.1V SMC

5CEFA4U19C8N

5CEFA4U19C8N

Intel

IC FPGA 224 I/O 484UBGA

IR2113STRPBF

IR2113STRPBF

Infineon Technologies

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC

S34ML02G104TFI010

S34ML02G104TFI010

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

FN2070-36-08

FN2070-36-08

Schaffner EMC

LINE FILTER 110/250VAC 36A CHASS

LT1963AEST-1.8#PBF

LT1963AEST-1.8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 1.8V 1.5A SOT223-3

BSS123

BSS123

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

LM2904AQTH-13

LM2904AQTH-13

Diodes Incorporated

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8TSSOP

ASDMB-100.000MHZ-LY-T

ASDMB-100.000MHZ-LY-T

Abracon

MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVCMOS

AT25640AN-10SU-2.7

AT25640AN-10SU-2.7

Microchip Technology

IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SOIC

PIC18F65J15-I/PT

PIC18F65J15-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP