FD800R17HP4KB2BOSA2
Nur als Referenz
| Teilenummer | FD800R17HP4KB2BOSA2 |
| PNEDA Teilenummer | FD800R17HP4KB2BOSA2 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1700V 800A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.862 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FD800R17HP4KB2BOSA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FD800R17HP4KB2BOSA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FD800R17HP4KB2BOSA2, FD800R17HP4KB2BOSA2 Datenblatt
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FD800R17HP4KB2BOSA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Single Chopper |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 800A |
| Leistung - max | 5200W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 800A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 65nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 430A Leistung - max 1150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 24nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
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