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FD400R12KE3HOSA1

FD400R12KE3HOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FD400R12KE3HOSA1
PNEDA Teilenummer FD400R12KE3HOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 650V 400A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.064
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FD400R12KE3HOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFD400R12KE3HOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FD400R12KE3HOSA1, FD400R12KE3HOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 491,8 KB)
PDFFD400R12KE3HOSA1 Datenblatt Cover
FD400R12KE3HOSA1 Datenblatt Seite 2 FD400R12KE3HOSA1 Datenblatt Seite 3 FD400R12KE3HOSA1 Datenblatt Seite 4 FD400R12KE3HOSA1 Datenblatt Seite 5 FD400R12KE3HOSA1 Datenblatt Seite 6 FD400R12KE3HOSA1 Datenblatt Seite 7 FD400R12KE3HOSA1 Datenblatt Seite 8 FD400R12KE3HOSA1 Datenblatt Seite 9

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FD400R12KE3HOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)580A
Leistung - max2000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce28nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Leistung - max

568W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP2

Lieferantengerätepaket

SP2

IRG5K400HF06B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

670A

Leistung - max

1620W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

25nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POWIR® 62 Module

Lieferantengerätepaket

POWIR® 62

FF50R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

285W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FZ800R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800A

Leistung - max

3550W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

56nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

NXH80T120L2Q0SG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

T-Type

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Leistung - max

146W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 80A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.99nF @ 20V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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