FD-DF80R12W1H3_B52
Nur als Referenz
| Teilenummer | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| PNEDA Teilenummer | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 40A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.806 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FD-DF80R12W1H3_B52 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FD-DF80R12W1H3_B52, FD-DF80R12W1H3_B52 Datenblatt
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FD-DF80R12W1H3_B52 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Leistung - max | 215W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 235nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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