FD-DF80R12W1H3_B52
Nur als Referenz
| Teilenummer | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| PNEDA Teilenummer | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 40A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.806 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 13 - Apr 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FD-DF80R12W1H3_B52 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FD-DF80R12W1H3_B52, FD-DF80R12W1H3_B52 Datenblatt
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FD-DF80R12W1H3_B52 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Leistung - max | 215W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 235nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 900A Leistung - max 20mW Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 450A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.55nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 580A Leistung - max 2000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 28nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 2100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 60nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700A Leistung - max 2300W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 49nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
