FCH041N60F-F085
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| Teilenummer | FCH041N60F-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FCH041N60F-F085 |
| Beschreibung | MOSFET N CH 600V 76A TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.944 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FCH041N60F-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FCH041N60F-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
FCH041N60F-F085, FCH041N60F-F085 Datenblatt
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FCH041N60F-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 76A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 347nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10900pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 595W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 980pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 60W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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