FCH040N65S3-F155
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| Teilenummer | FCH040N65S3-F155 |
| PNEDA Teilenummer | FCH040N65S3-F155 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.588 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FCH040N65S3-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FCH040N65S3-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
FCH040N65S3-F155, FCH040N65S3-F155 Datenblatt
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FCH040N65S3-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | SuperFET® III |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 65A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 32.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 6.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4740pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 417W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 142nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5337pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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