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FCH023N65S3L4

FCH023N65S3L4

Nur als Referenz

Teilenummer FCH023N65S3L4
PNEDA Teilenummer FCH023N65S3L4
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FCH023N65S3L4 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFCH023N65S3L4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FCH023N65S3L4, FCH023N65S3L4 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 522,64 KB)
PDFFCH023N65S3L4 Datenblatt Cover
FCH023N65S3L4 Datenblatt Seite 2 FCH023N65S3L4 Datenblatt Seite 3 FCH023N65S3L4 Datenblatt Seite 4 FCH023N65S3L4 Datenblatt Seite 5 FCH023N65S3L4 Datenblatt Seite 6 FCH023N65S3L4 Datenblatt Seite 7 FCH023N65S3L4 Datenblatt Seite 8 FCH023N65S3L4 Datenblatt Seite 9

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FCH023N65S3L4 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSuperFET® III
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 7.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs222nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7160pF @ 400V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)595W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247
Paket / FallTO-247-4

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

85V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

152A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APT56M60L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1040W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

MTD6P10E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

660mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.75W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQA65N06

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

72A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

183W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

104nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5080pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXFA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

ADG1433YRUZ

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Analog Devices

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LTM8074IY#PBF

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IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

M41T00SM6F

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STMicroelectronics

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-SOIC

NP5Q128A13ESFC0E

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Micron Technology Inc.

IC PCM 128M SPI 66MHZ 16SO W

AD7870JP

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IC ADC 12BIT SAR 28PLCC

IRFP150N

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MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC

B340A-E3/61T

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

MT29F1G08ABADAWP-IT:D

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

MAX3387EEUG

MAX3387EEUG

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

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REF195GSZ

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IC VREF SERIES 5V 8SOIC

LTM2882HY-3#PBF

LTM2882HY-3#PBF

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IC TXRX ISOL HALF 2/2 32BGA