FCD1300N80Z
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| Teilenummer | FCD1300N80Z |
| PNEDA Teilenummer | FCD1300N80Z |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 4A TO252 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.136 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FCD1300N80Z Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FCD1300N80Z |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FCD1300N80Z Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | SuperFET® II |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 52W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Cree/Wolfspeed Serie Z-FET™ FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90.8nC @ 20V Vgs (Max) +25V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1915pF @ 800V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 313mW (Tj) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Die Paket / Fall Die |
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