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FC8V33030L

FC8V33030L

Nur als Referenz

Teilenummer FC8V33030L
PNEDA Teilenummer FC8V33030L
Beschreibung MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 6.300
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FC8V33030L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFC8V33030L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FC8V33030L, FC8V33030L Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 318 KB)
PDFFC8V33030L Datenblatt Cover
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FC8V33030L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)33V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 480µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds360pF @ 10V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketWMini8-F1

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.8A, 7.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 15V

Leistung - max

3.57W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

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AON5802B_101

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-DFN-EP (2x5)

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

588pF @ 30V

Leistung - max

1.2W

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