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FC6946010R

FC6946010R

Nur als Referenz

Teilenummer FC6946010R
PNEDA Teilenummer FC6946010R
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 304.686
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FC6946010R Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFC6946010R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FC6946010R, FC6946010R Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 302,72 KB)
PDFFC6946010R Datenblatt Cover
FC6946010R Datenblatt Seite 2 FC6946010R Datenblatt Seite 3 FC6946010R Datenblatt Seite 4 FC6946010R Datenblatt Seite 5 FC6946010R Datenblatt Seite 6 FC6946010R Datenblatt Seite 7

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FC6946010R Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12pF @ 3V
Leistung - max125mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSSMini6-F3-B

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

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FET-Typ

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 20V

Leistung - max

48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.1A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.4mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 10V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

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