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F475R06W1E3BOMA1

F475R06W1E3BOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer F475R06W1E3BOMA1
PNEDA Teilenummer F475R06W1E3BOMA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 75A
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $386,7834
50 ---------- $368,6529
100 ---------- $350,5224
200 ---------- $332,3920
400 ---------- $317,2832
500 ---------- $302,1745
Auf Lager 5.265
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F475R06W1E3BOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerF475R06W1E3BOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
F475R06W1E3BOMA1, F475R06W1E3BOMA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 789,18 KB)
PDFF475R06W1E3BOMA1 Datenblatt Cover
F475R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 2 F475R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 3 F475R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 4 F475R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 5 F475R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 6 F475R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 7 F475R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 8 F475R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 9

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F475R06W1E3BOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Leistung - max275W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce4.6nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

340A

Leistung - max

800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11.9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POWIR® 62 Module

Lieferantengerätepaket

POWIR® 62

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

180W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

600µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

Lieferantengerätepaket

E2

FA300R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGT75A60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTGT200SK120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

6mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

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