F3L200R12W2H3B11BPSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | F3L200R12W2H3B11BPSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | F3L200R12W2H3B11BPSA1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 650V 200A | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 4.616 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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F3L200R12W2H3B11BPSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | F3L200R12W2H3B11BPSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
F3L200R12W2H3B11BPSA1, F3L200R12W2H3B11BPSA1 Datenblatt
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F3L200R12W2H3B11BPSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Leistung - max | 600W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 11.5nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 620W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 17.5nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 280W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Leistung - max 700W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 6mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y4-M5 Lieferantengerätepaket Y4-M5 |
