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F1T1G R0G

F1T1G R0G

Nur als Referenz

Teilenummer F1T1G R0G
PNEDA Teilenummer F1T1G-R0G
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 3.330
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

F1T1G R0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerF1T1G R0G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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F1T1G R0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)150ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.15pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallT-18, Axial
LieferantengerätepaketTS-1
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1500V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1500V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

180ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247AC Modified

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

SF34GHB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RFNL5BGE6STL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252GE

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

CMR5H-06 TR13

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

17pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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