ESH3D-M3/9AT
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Teilenummer | ESH3D-M3/9AT |
PNEDA Teilenummer | ESH3D-M3-9AT |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.366 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ESH3D-M3/9AT Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | ESH3D-M3/9AT |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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ESH3D-M3/9AT Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F. | 70pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 120V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 870mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 600µA @ 120V Kapazität @ Vr, F. 700pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Lieferantengerätepaket DO-221BC (SMPA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Comchip Technology Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 25V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 0402 (1005 Metric) Lieferantengerätepaket 0402/SOD-923F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |