ESH1DM RSG
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| Teilenummer | ESH1DM RSG |
| PNEDA Teilenummer | ESH1DM-RSG |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 535.848 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 2 - Jan 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ESH1DM RSG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ESH1DM RSG |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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ESH1DM RSG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 3pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 2-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | Micro SMA |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Power Integrations Serie Qspeed™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 530V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.71V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 34.3ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 530V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads Lieferantengerätepaket 8-SO Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
