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ES3B

ES3B

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Teilenummer ES3B
PNEDA Teilenummer ES3B
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.614
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ES3B Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerES3B
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
ES3B, ES3B Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 304,83 KB)
PDFES3C Datenblatt Cover
ES3C Datenblatt Seite 2 ES3C Datenblatt Seite 3 ES3C Datenblatt Seite 4 ES3C Datenblatt Seite 5 ES3C Datenblatt Seite 6

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ES3B Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)20ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.45pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketSMC (DO-214AB)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-50°C ~ 150°C

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Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

2A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

160pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123T

Lieferantengerätepaket

Mini SMA/SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

MMBD914-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

1N4448WSQ-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

VI20150SG-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CTS521,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-882

Lieferantengerätepaket

CST2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

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