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ES3B

ES3B

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Teilenummer ES3B
PNEDA Teilenummer ES3B
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.614
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ES3B Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerES3B
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
ES3B, ES3B Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 304,83 KB)
PDFES3C Datenblatt Cover
ES3C Datenblatt Seite 2 ES3C Datenblatt Seite 3 ES3C Datenblatt Seite 4 ES3C Datenblatt Seite 5 ES3C Datenblatt Seite 6

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ES3B Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)20ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.45pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketSMC (DO-214AB)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-50°C ~ 150°C

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

CTLSH1-40M621H TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

15ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

TLM621H

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

RS3DHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

44pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VI20150SG-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RBK83240XX

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3200V

Current - Average Rectified (Io)

4000A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.17V @ 3000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150mA @ 3200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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