ES2AHE3_A/I
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Teilenummer | ES2AHE3_A/I |
PNEDA Teilenummer | ES2AHE3_A-I |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.298 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ES2AHE3_A/I Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | ES2AHE3_A/I |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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ES2AHE3_A/I Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Current - Average Rectified (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 20ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F. | 18pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 75V Current - Average Rectified (Io) 300mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, D Lieferantengerätepaket D-5D Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Sanken Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2000V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2V @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 4µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 2000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.5V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 260ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |