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ES1M-TP

ES1M-TP

Nur als Referenz

Teilenummer ES1M-TP
PNEDA Teilenummer ES1M-TP
Beschreibung DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Hersteller Micro Commercial Co
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ES1M-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerES1M-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
ES1M-TP, ES1M-TP Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 313,02 KB)
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ES1C-TP Datenblatt Seite 2 ES1C-TP Datenblatt Seite 3 ES1C-TP Datenblatt Seite 4

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ES1M-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.45pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AC, SMA
LieferantengerätepaketDO-214AC (HSMA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-50°C ~ 150°C

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Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 35A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

300pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SRA

Lieferantengerätepaket

SRA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

STPS3L60RL

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

ES3G V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

R9G01218XX

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

1800A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AB, B-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

SD500N30PSC

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3000V

Current - Average Rectified (Io)

475A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.66V @ 1000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 3000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

B-8

Lieferantengerätepaket

B-8

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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