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ES1BL RUG

ES1BL RUG

Nur als Referenz

Teilenummer ES1BL RUG
PNEDA Teilenummer ES1BL-RUG
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 5.346
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ES1BL RUG Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerES1BL RUG
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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ES1BL RUG Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.10pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-219AB
LieferantengerätepaketSub SMA
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.9V @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

45µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

TO-220FPAC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

S1B-M3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BYM13-50-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF

Lieferantengerätepaket

GL41 (DO-213AB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

HSM350J/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SCS304APC9

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

4A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 4A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

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