ES1A-E3/5AT
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| Teilenummer | ES1A-E3/5AT |
| PNEDA Teilenummer | ES1A-E3-5AT |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.124 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ES1A-E3/5AT Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ES1A-E3/5AT |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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ES1A-E3/5AT Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AC (SMA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 155°C |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket Mini3-G1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 15A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 12A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 665pF @ 1V, 100kHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 80pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-79, SOD-523 Lieferantengerätepaket SOD-523 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
