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ES07B-GS18

ES07B-GS18

Nur als Referenz

Teilenummer ES07B-GS18
PNEDA Teilenummer ES07B-GS18
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.016
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ES07B-GS18 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerES07B-GS18
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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ES07B-GS18 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)1.2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If980mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.4pF @ 4V, 50MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-219AB
LieferantengerätepaketDO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JAN1N6626US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

220V

Current - Average Rectified (Io)

1.75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 1.2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 220V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, E

Lieferantengerätepaket

D-5B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.19V @ 60A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

33pF @ 400V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

STTH5R06DJF-TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

60µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

BAR43

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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