EPC2203
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| Teilenummer | EPC2203 |
| PNEDA Teilenummer | EPC2203 |
| Beschreibung | GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 56.460 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2203 Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2203 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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EPC2203 Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, eGaN® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.7A |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.83nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +5.75V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 110W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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