EPC2102ENG
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| Teilenummer | EPC2102ENG |
| PNEDA Teilenummer | EPC2102ENG |
| Beschreibung | GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.804 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2102ENG Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2102ENG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EPC2102ENG Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 23A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 10V Leistung - max 520mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN2020-6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 6V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 830mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
