Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

EPC2021

EPC2021

Nur als Referenz

Teilenummer EPC2021
PNEDA Teilenummer EPC2021
Beschreibung GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE
Hersteller EPC
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 29.760
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 24 - Jan 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

EPC2021 Ressourcen

Marke EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEPC2021
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
EPC2021, EPC2021 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.212,07 KB)
PDFEPC2021ENGR Datenblatt Cover
EPC2021ENGR Datenblatt Seite 2 EPC2021ENGR Datenblatt Seite 3 EPC2021ENGR Datenblatt Seite 4 EPC2021ENGR Datenblatt Seite 5 EPC2021ENGR Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • EPC2021 Datasheet
  • where to find EPC2021
  • EPC

  • EPC EPC2021
  • EPC2021 PDF Datasheet
  • EPC2021 Stock

  • EPC2021 Pinout
  • Datasheet EPC2021
  • EPC2021 Supplier

  • EPC Distributor
  • EPC2021 Price
  • EPC2021 Distributor

EPC2021 Technische Daten

HerstellerEPC
SerieeGaN®
FET-TypN-Channel
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.90A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 14mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 5V
Vgs (Max)+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1650pF @ 40V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDie
Paket / FallDie

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RQ3E100MNTB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HSMT (3.2x3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

DMN2230UQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

188pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

HUF75321D3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

93W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Hersteller

IXYS

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXKH)

Paket / Fall

TO-247-3

DI9405T

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1425pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)

Kürzlich verkauft

XC95144-15TQ100I

XC95144-15TQ100I

Xilinx

IC CPLD 144MC 15NS 100TQFP

SI8442BB-D-ISR

SI8442BB-D-ISR

Silicon Labs

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

IHLP2525CZER220M5A

IHLP2525CZER220M5A

Vishay Dale

FIXED IND 22UH 2.8A 174 MOHM SMD

74HC573D

74HC573D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC

WSH28185L000FEA

WSH28185L000FEA

Vishay Dale

RES 0.005 OHM 1% 5W 2818

ADV7182WBCPZ

ADV7182WBCPZ

Analog Devices

IC VIDEO DECODER SDTV 32-LFCSP

CPV364M4U

CPV364M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2

PC28F256P30TFE

PC28F256P30TFE

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA

IR2110STRPBF

IR2110STRPBF

Infineon Technologies

IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC

LM211DT

LM211DT

STMicroelectronics

IC VOLTAGE COMPARATOR 8-SOIC

PA2512FKE7W0R002E

PA2512FKE7W0R002E

Yageo

METAL CURRENT SENSOR 2512 1% 50P