EPC2010
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Teilenummer | EPC2010 |
PNEDA Teilenummer | EPC2010 |
Beschreibung | GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE |
Hersteller | EPC |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.526 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2010 Ressourcen
Marke | EPC |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | EPC2010 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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EPC2010 Technische Daten
Hersteller | EPC |
Serie | eGaN® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | Die |
Paket / Fall | Die |
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