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EPC2007C

EPC2007C

Nur als Referenz

Teilenummer EPC2007C
PNEDA Teilenummer EPC2007C
Beschreibung GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
Hersteller EPC
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EPC2007C Ressourcen

Marke EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEPC2007C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
EPC2007C, EPC2007C Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 894,9 KB)
PDFEPC2007C Datenblatt Cover
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EPC2007C Technische Daten

HerstellerEPC
SerieeGaN®
FET-TypN-Channel
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V
Vgs (Max)+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDie Outline (5-Solder Bar)
Paket / FallDie

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT7F80K

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1335pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

225W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220 [K]

Paket / Fall

TO-220-3

SCT3030ALHRC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 27A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.6V @ 13.3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

104nC @ 18V

Vgs (Max)

+22V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1526pF @ 500V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

262W

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247N

Paket / Fall

TO-247-3

AOD3T40P

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

139pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STB18N55M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

550V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

192mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB86569-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2520pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

94W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FW2500025Z

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LTST-C150CKT

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