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EL817(S)(TA)-V

EL817(S)(TA)-V

Nur als Referenz

Teilenummer EL817(S)(TA)-V
PNEDA Teilenummer EL817-S-TA-V
Beschreibung OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-SMD
Hersteller Everlight Electronics Co Ltd
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Auf Lager 2.100
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EL817(S)(TA)-V Ressourcen

Marke Everlight Electronics Co Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEL817(S)(TA)-V
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
EL817(S)(TA)-V, EL817(S)(TA)-V Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 716,54 KB)
PDFEL817(S)(TB)-V Datenblatt Cover
EL817(S)(TB)-V Datenblatt Seite 2 EL817(S)(TB)-V Datenblatt Seite 3 EL817(S)(TB)-V Datenblatt Seite 4 EL817(S)(TB)-V Datenblatt Seite 5 EL817(S)(TB)-V Datenblatt Seite 6 EL817(S)(TB)-V Datenblatt Seite 7 EL817(S)(TB)-V Datenblatt Seite 8 EL817(S)(TB)-V Datenblatt Seite 9 EL817(S)(TB)-V Datenblatt Seite 10 EL817(S)(TB)-V Datenblatt Seite 11

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EL817(S)(TA)-V Technische Daten

HerstellerEverlight Electronics Co Ltd
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)50% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)600% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)4µs, 3µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)35V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.2V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)200mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 110°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket4-SMD

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ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

1000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

500% @ 1.6mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

18V

Strom - Ausgang / Kanal

60mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

H11F1M

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

-

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

45µs, 45µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

MOSFET

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

130% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

260% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

30mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SMD

EL817(A)-VG

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

160% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

6µs, 8µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

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300mV

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