EL357N(TA)-VG
Nur als Referenz
| Teilenummer | EL357N(TA)-VG |
| PNEDA Teilenummer | EL357N-TA-VG |
| Beschreibung | OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP |
| Hersteller | Everlight Electronics Co Ltd |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.502 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 1 - Jan 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EL357N(TA)-VG Ressourcen
| Marke | Everlight Electronics Co Ltd |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EL357N(TA)-VG |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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EL357N(TA)-VG Technische Daten
| Hersteller | Everlight Electronics Co Ltd |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 3750Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 50% @ 5mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | 600% @ 5mA |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 3µs, 4µs |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor |
| Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 50mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 200mV |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 4-SOP (2.54mm) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 2 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 500% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 10µs, 125µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8µs, 110µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Darlington Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 150mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 1V Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5300Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) - Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 25µs, 25µs (Max) Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp MOSFET Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal - Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.3V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 4000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 55V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
